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BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ100N06LS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 23µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 30V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

C2012X5R0G476M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805
BTS3205G
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH PWR LOSIDE DSO-8
C1005C0G1H470J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0402
BH29RB1WGUT-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 4-WFBGA，CSPBGA IC REG LDO 2.9V .15A 4-VCSP
BSZ100N03MS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
C0805C820J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 100V 5% NP0 0805
C2012X5R0G476M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 47UF 4V 20% X5R 0805
C3216X7R1E105M/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
BTS3408G
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH LOW SIDE DUAL PDSO-8
BH2DW
電池座，夾，觸點(diǎn) MPD (Memory Protection Devices) 8-PowerVDFN HOLDER BATT 2-D 6" WIRE LEADS
C2012X5R0J106K/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805
C0805C820J2GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 200V 5% NP0 0805
C3216X7R1E105M/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
BTS409L1 E3062A
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) Infineon Technologies TO-263-5，D²Pak（4 引線+接片），TO-263BB IC SWITCH SMART HISIDE TO220AB-5
C1005C0G1H4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402

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C2012X5R0G476M

BTS3205G

C1005C0G1H470J

BH29RB1WGUT-E2

BSZ100N03MS G

C0805C820J1GACTU

C2012X5R0G476M

C3216X7R1E105M/1.60

BTS3408G

BH2DW

C2012X5R0J106K/1.25

C0805C820J2GACTU

C3216X7R1E105M/1.60

BTS409L1 E3062A

C1005C0G1H4R7B

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